MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片

铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片泰山一号（MountTai 2026）流片，采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。

摘自 量子位

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。